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Halogen-Induced s-Band Isolation in 2-D InSeX (X = Cl, Br) for Breaking the Boltzmann Limitation in MOSFETs |
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期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Yuanyuan Tai; Hengze Qu; Weicong Sun; Huipu Wang; Tong Xu; Shengli Zhang 出版日期:2026 |
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(2025-6-4)