Study on the electronic structures and energy band properties of Cd-doped wurtzite BeO

纤锌矿晶体结构 赝势 带隙 晶格常数 密度泛函理论 材料科学 凝聚态物理 直接和间接带隙 电子能带结构 态密度 兴奋剂 局部密度近似 电子结构 物理 光学 量子力学 衍射 冶金
作者
Shuwen Zheng,Guanghan Fan,Miao He,Guang‐Rui Yao,Jun Chen,He Long-Fei
出处
期刊:Chinese Physics [Science Press]
卷期号:61 (17): 177102-177102 被引量:2
标识
DOI:10.7498/aps.61.177102
摘要

The electronic structures and energy band properties of the Cd-doped wurtzite BeO are investigated by plan-wave pseudopotential method with the generalized gradient approximation in the frame of density functional theory. The theoretical results show that the valence band maximum is determined by O 2p states and the conduction band minimum is occupied by Cd 5s and Be 2s orbitals based on the total density of states and partial density of states of Be1-xCdxO alloy. With the Cd content x of Be1-xCdxO increasing, the repulsion effect between Cd 4d and O 2p states is more enhanced and the bandgap of Be1-xCdxO is reduced. At the same time, the bandgap undergoes the direct-indirect-direct transition. In order to obtain the theoretical values in accord with the experimental results, the bandgaps of Be1-xCdxO are corrected. Moreover, the relations among energy bandgap, bowing parameter and lattice constant of the wurtzite BeO-ZnO-CdO ternary alloy are analyzed.

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