可靠性（半导体）
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作者
Shivam Swami,Kartik Mohanram
出处
期刊：IEEE design & test
[Institute of Electrical and Electronics Engineers]
日期：2017-03-16
卷期号：34 (3): 31-41
被引量：49
标识
DOI：10.1109/mdat.2017.2682252
摘要
Reliability continues to be a severe challenge in the development of emerging memories. In this article, the authors offer a comprehensive survey of reliability enhancement techniques for three mainstream emerging memories and a summary of the possible future research directions in this area.
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