Non-volatile memory characteristics of flexible ferroelectric field-effect transistors consisting of Sm-doped BiFeO3 thin films

材料科学 铁电性 兴奋剂 薄膜 非易失性存储器 场效应晶体管 光电子学 晶体管 纳米技术 电气工程 电介质 电压 工程类
作者
Yoonho Ahn,Jong Yeog Son
出处
期刊:Ceramics International [Elsevier BV]
卷期号:50 (13): 24881-24887 被引量:2
标识
DOI:10.1016/j.ceramint.2024.04.224
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