Enhancement-mode thin film transistor using amorphous phosphorus-doped Indium–Zinc–Tin-Oxide channel layer

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作者
Hui Yang,Weiguang Yang,Jinbao Su,Xiqing Zhang
出处
期刊:Materials Science in Semiconductor Processing [Elsevier BV]
卷期号:137: 106228-106228 被引量:17
标识
DOI:10.1016/j.mssp.2021.106228
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