Effects of In impurity on the dynamic behavior of dislocations in GaAs

杂质 材料科学 吸气剂 凝聚态物理 化学 光电子学 物理 有机化学
作者
Ichiro Yonenaga,Kôji Sumino
出处
期刊:Journal of Applied Physics [American Institute of Physics]
卷期号:62 (4): 1212-1219 被引量:75
标识
DOI:10.1063/1.339672
摘要

The effects of In impurity on the dynamic behavior of dislocations in GaAs crystals are investigated in comparison with those of Si impurity. Indium, even at a concentration of the order of 1020 cm−3, is found to affect the velocity of moving dislocations only slightly while Si impurity at a concentration of the order of 1018 cm−3 reduces it by one or two orders of magnitude. However, α dislocations are easily immobilized by In atoms while they are at rest by gettering the latter. Immobilization of β dislocations due to In gettering is much weaker than that of α dislocations. An interpretation is given of how such a difference in locking by In impurity comes about between α and β dislocations. The function of Si impurity to lock both α and β dislocations is stronger than that of In impurity on α dislocations. Nevertheless, the locking effect due to Si impurity manifests itself only in the high-temperature range. This seems to be related to the low diffusivity of Si impurity in GaAs crystals.
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