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Evaluation of the impact of defects on threshold voltage drift employing SiO2 pMOS transistors

晶体管 Iddq测试阈值电压 PMOS逻辑电子线路绝缘体上的硅电压材料科学缩放比例绝缘体（电）纳米尺度光电子学电子工程计算机科学电气工程 CMOS芯片纳米技术工程类硅数学几何学

作者

Κωνσταντίνος Τσέλιος,Jakob Michl,Theresia Knobloch,H. Enichlmair,E.G. Ioannidis,R. Minixhofer,Tibor Grasser,Michael Waltl

出处

期刊：Microelectronics Reliability [Elsevier BV]
日期：2022-09-25 卷期号：138: 114701-114701 被引量：4

标识

DOI：10.1016/j.microrel.2022.114701

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