亲爱的研友该休息了!由于当前在线用户较少,发布求助请尽量完整的填写文献信息,科研通机器人24小时在线,伴您度过漫漫科研夜!身体可是革命的本钱,早点休息,好梦!

H3PO4-based wet chemical etching for recovery of dry-etched GaN surfaces

干法蚀刻 X射线光电子能谱 反应离子刻蚀 蚀刻(微加工) 微电子 材料科学 高电子迁移率晶体管 各向同性腐蚀 湿法清洗 化学工程 纳米技术 磷酸 分析化学(期刊) 化学 冶金 图层(电子) 晶体管 有机化学 工程类 色谱法 物理 电压 量子力学
作者
Sabria Benrabah,Maxime Legallais,P. Besson,Simon Ruel,Laura Vauche,B. Pelissier,Chloé Thieuleux,B. Salem,Matthew Charles
出处
期刊:Applied Surface Science [Elsevier]
卷期号:582: 152309-152309 被引量:12
标识
DOI:10.1016/j.apsusc.2021.152309
摘要

The impact of several wet etchants commonly encountered in the microelectronic industry on the surface chemistry of GaN on silicon was explored. In order to get closer to fully recessed gate HEMT fabrication processes, we investigated different kinds of GaN surfaces. This study was conducted on as-grown GaN and dry etched GaN, with etching consisting of inductive coupled plasma reactive ion etching (ICP-RIE), followed by atomic layer etching (ALE) and O2 plasma stripping. The impact of each wet treatment was evaluated by parallel Angle Resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy (pAR-XPS). Treatment with phosphoric acid (H3PO4) showed a significant modification of the surface and further studies were performed using this treatment. The impact of H3PO4 on GaN surface chemistry and morphology was assessed by pAR-XPS and atomic force microscopy (AFM) respectively. A delayed effect was observed for dry etched samples compared to as-grown samples, with a successful recovery of the surface after 60 min of treatment. We also proposed a mechanism explaining the progressive formation on steps on the surface over time. Further research was performed on dry etched samples without ALE which also modified the delay time of the H3PO4 treatment, but still enabled a recovery of the surface morphology. In contrast to other studies, we showed that, with the appropriate choice of parameters for the H3PO4 treatment, it was possible to successfully recover the GaN surface after dry etching without significantly opening dislocation holes. This is therefore a promising treatment to be used during GaN HEMT processing to recover good quality surfaces after etching.
最长约 10秒,即可获得该文献文件

科研通智能强力驱动
Strongly Powered by AbleSci AI
更新
大幅提高文件上传限制,最高150M (2024-4-1)

科研通是完全免费的文献互助平台,具备全网最快的应助速度,最高的求助完成率。 对每一个文献求助,科研通都将尽心尽力,给求助人一个满意的交代。
实时播报
江湖小妖完成签到 ,获得积分10
11秒前
17秒前
俏皮诺言完成签到,获得积分10
48秒前
messi发布了新的文献求助30
1分钟前
星辰大海应助海燕采纳,获得30
1分钟前
Ji完成签到 ,获得积分10
1分钟前
messi发布了新的文献求助10
1分钟前
messi发布了新的文献求助10
2分钟前
2分钟前
3分钟前
桐桐应助孤独的钻石采纳,获得10
4分钟前
4分钟前
4分钟前
白云朵儿发布了新的文献求助10
4分钟前
852应助ach采纳,获得10
4分钟前
海燕发布了新的文献求助30
4分钟前
孤独的钻石完成签到,获得积分10
4分钟前
Cynthia完成签到 ,获得积分10
4分钟前
21完成签到 ,获得积分10
5分钟前
5分钟前
shunzi发布了新的文献求助10
5分钟前
trap1完成签到 ,获得积分10
5分钟前
6分钟前
海燕发布了新的文献求助30
6分钟前
7分钟前
伍美华发布了新的文献求助10
7分钟前
毓香谷的春天完成签到 ,获得积分10
8分钟前
8分钟前
ach发布了新的文献求助10
8分钟前
CodeCraft应助ach采纳,获得10
8分钟前
康KKKate完成签到 ,获得积分10
9分钟前
rocky15应助messi采纳,获得10
9分钟前
Savitr完成签到 ,获得积分10
9分钟前
Flexy发布了新的文献求助10
10分钟前
10分钟前
执着的草丛完成签到,获得积分10
10分钟前
白云朵儿发布了新的文献求助10
11分钟前
11分钟前
嘎嘎好使完成签到 ,获得积分10
11分钟前
畅畅完成签到,获得积分10
11分钟前
高分求助中
Un calendrier babylonien des travaux, des signes et des mois: Séries iqqur îpuš 1036
Sustainable Land Management: Strategies to Cope with the Marginalisation of Agriculture 1000
Corrosion and Oxygen Control 600
Heterocyclic Stilbene and Bibenzyl Derivatives in Liverworts: Distribution, Structures, Total Synthesis and Biological Activity 500
重庆市新能源汽车产业大数据招商指南(两链两图两池两库两平台两清单两报告) 400
Division and square root. Digit-recurrence algorithms and implementations 400
行動データの計算論モデリング 強化学習モデルを例として 400
热门求助领域 (近24小时)
化学 材料科学 医学 生物 有机化学 工程类 生物化学 纳米技术 物理 内科学 计算机科学 化学工程 复合材料 遗传学 基因 物理化学 催化作用 电极 光电子学 量子力学
热门帖子
关注 科研通微信公众号,转发送积分 2545595
求助须知:如何正确求助?哪些是违规求助? 2175642
关于积分的说明 5600185
捐赠科研通 1896371
什么是DOI,文献DOI怎么找? 946248
版权声明 565371
科研通“疑难数据库(出版商)”最低求助积分说明 503557