Radical etching with an aperture plate: correlating F atom density and highly selective etching of poly-Si and Si 3 N 4 over SiO 2 in CF 4 /O 2 /He plasma

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标题	Radical etching with an aperture plate: correlating F atom density and highly selective etching of poly-Si and Si 3 N 4 over SiO 2 in CF 4 /O 2 /He plasma
网址	https://doi.org/10.1088/1361-6595/ae6a23
DOI	10.1088/1361-6595/ae6a23 doi
其它	期刊：Plasma Sources Science and Technology 作者：Yong Cao; Yuan Gao; Chaowei Yuan; Lijun Sang; Bowen Liu; et al 出版日期：2026-05-01
求助人	cyyan 在 2026-09-01 11:42:01 发布自上海，悬赏 10 积分
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