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 1700 V Charge-Balance-Assisted SiC MOSFETs for Improved Short-Circuit Capability 相关领域
材料科学
MOSFET
光电子学
支柱
电压
稳健性（进化）
碳化硅
电子工程
阈值电压
还原（数学）
宽禁带半导体
结温
逻辑门
电气工程
温度测量
阻塞（统计）
制作
半导体器件建模
快速切换
电容
切换时间
场效应晶体管
降级（电信）
能量（信号处理）
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| 其它 |
期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Yuhan Duan; Steven Yang; Liming Che; Cancan Li; Jiuyang Tang; et al 出版日期：2026-02-24 |
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