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Positive temperature dependence of the electron impact ionization coefficient in In/sub 0.53/Ga/sub 0.47/As/InP HBTs 相关领域
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期刊:IEEE Electron Device Letters 作者:A. Neviani; Gaudenzio Meneghesso; Enrico Zanoni; M. Hafizi; C. Canali 出版日期:1997-12-01 |
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