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标题
Breakdown Voltage and Leakage Current of the Nonuniformly Activated Lightly Doped p-GaN
非均匀激活轻掺杂p-GaN的击穿电压和漏电流
相关领域
兴奋剂 材料科学 光电子学 击穿电压 泄漏（经济） 电击穿 宽禁带半导体 电压 工程物理 电气工程 电子工程 工程类 经济 电介质 宏观经济学
网址
https://doi.org/10.1109/ted.2024.3433837
DOI
10.1109/ted.2024.3433837 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Electron Devices
作者：Zineng Yang; Yunwei Ma; Matthew Porter; Hehe Gong; Zhonghao Du; et al
出版日期：2024-08-02
求助人
叶子 在 2025-12-05 13:01:23 发布自黑龙江，悬赏 10 积分
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