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 Multilayer MoS2 Back‐Gate Transistors with ZrO2 Dielectric Layer Optimization for Low‐Power Electronics 用于低功率电子学的ZrO2介质层多层MoS2背栅晶体管优化
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期刊：Physica Status Solidi A-applications and Materials Science 作者：Haochen Zhao; Guangyang Lin; Peng Cui; Jie Zhang; Yuping Zeng 出版日期：2022-02-18 |
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