| 标题 |
 Evolution of Gate-Oxide Interface Traps in Planar SiC MOSFET Under Repeated Short-Circuit Stress 重复短路应力下平面SiC MOSFET栅-氧化物界面陷阱的演化
相关领域
材料科学
MOSFET
平面的
压力（语言学）
光电子学
接口（物质）
碳化硅
功率MOSFET
宽禁带半导体
场效应晶体管
电子工程
逻辑门
硅
电气工程
半导体器件建模
电容
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Xianwei Meng; Chunsheng Guo; Qian Wen; Shiwei Feng; Yamin ZHANG 出版日期：2025-01-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
Kao
cdercder
Copyright
毛豆
东方元语
无极微光
Nexus
yjh123
孤独的甜瓜
OK
zp560
Dean
arniu2008
BigTong
Criminology34
学术文献互助
liuzhuohao
磷酸丙糖异构酶
初景
GingerF
皖公网安备34019202002308
