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Evaluation of body-diode degradation in 4H-SiC VMOSFETs under high-current-density stress |
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期刊:Japanese Journal of Applied Physics 作者:Takeyoshi Masuda; Tomoki Ikeda; Yoshinori Hara; Yu Saito; Taro Nishiguchi; et al 出版日期:2026-06-15 |
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(2025-6-4)