Improved Switching and Synaptic Behavior of Flexible HfOₓ-Based Resistive Memory Devices With a Chalcogenide Layer

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标题	Improved Switching and Synaptic Behavior of Flexible HfOₓ-Based Resistive Memory Devices With a Chalcogenide Layer
网址	https://doi.org/10.1109/TED.2025.3596966
DOI	10.1109/TED.2025.3596966 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：S. Biswas; A. D. Paul; C. Ghosh; A. Mondal; R. Mahapatra 出版日期：2025
求助人	曾经的康乃馨在 2026-03-18 23:12:25 发布，悬赏 10 积分
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