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 SRAM Write- and Performance-Assist Cells for Reducing Interconnect Resistance Effects Increased with Technology Scaling 用于降低随着技术扩展而增加的互连电阻效应的SRAM写入和性能辅助单元
相关领域
互连
静态随机存取存储器
降级（电信）
计算机科学
电子工程
随机存取存储器
嵌入式系统
缩放比例
计算机硬件
工程类
计算机网络
电信
几何学
数学
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| 其它 |
期刊：Symposium on VLSI Circuits 作者：Keonhee Cho; Heekyung Choi; In Jun Jung; Jisang Oh; Tae Woo Oh; et al 出版日期：2021-06-13 |
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