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 SiGe/Si Superlattice Ferroelectric HfZrO2 ΩFET and CMOS Inverter With SSmin,n = 62.4 mV/dec, ION/IOFF > 1.0 × 107, and Voltage Gain = 111.4 V/V SiGe/Si超晶格铁电HfZrO2 Ω FET和CMOS反相器，SSmin，n=62.4mV/dec，ION/IOFF>1.0 × 107，电压增益=111.4 V/V
相关领域
铁电性
材料科学
超晶格
物理
光电子学
电气工程
分析化学（期刊）
化学
电介质
工程类
色谱法
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Yi-Ju Yao; Ting-Yu Tseng; Ching-Ru Yang; Tsai-Jung Lin; Heng-Jia Chang; et al 出版日期：2023-11-09 |
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dr.du
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