| 标题 |
Review—Opportunities in Single Event Effects in Radiation-Exposed SiC and GaN Power Electronics 相关领域
电离辐射
材料科学
数码产品
辐射
空间环境
碳化硅
光电子学
宇宙射线
辐射损伤
可靠性(半导体)
辐射硬化
电力电子
工程物理
核工程
电压
电气工程
功率(物理)
辐照
物理
光学
核物理学
工程类
量子力学
地球物理学
冶金
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:ECS Journal of Solid State Science and Technology 作者:S. J. Pearton; Aman Haque; Ani Khachatrian; Adrian Ildefonso; Leonid Chernyak; et al 出版日期:2021-07-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)