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 Low on-resistance 1.2 kV 4H-SiC power MOSFET with Ron, sp of 3.4 mΩ·cm2 低导通电阻1.2 kV 4H-SiC功率MOSFET，Ron、sp为3.4 M Ω·cm2
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期刊：Journal of Semiconductors 作者：Qiang Liu; Qian Wang; Hao Liu; Chenxi Fei; Shiyan Li; et al 出版日期：2020-06-01 |
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