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High-Field Transport and Statistical Variability of Nanosheet Oxide Semiconductor FETs With Channel Length Scaling 具有沟道长度标度的纳米片氧化物半导体场效应晶体管的高场输运和统计可变性
相关领域
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期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Xingyu Huang; Kaito Hikake; Sunghun Kim; Kota Sakai; Zhuo Li; et al 出版日期:2024-01-01 |
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