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Characterization of 1.2 kV 4H-SiC planar power MOSFETs 1.2 kV 4H-SiC平面功率MOSFET的表征
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期刊:Journal of Crystal Growth 作者:Ling Sang; Xiping Niu; Yunlai An; Tao Zhu; Wenting Zhang; et al 出版日期:2023 |
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(2025-6-4)