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标题
An Adjustable P-Region Potential SiC Trench MOSFET With Improved High-Frequency and Short-Circuit Performance
具有改进的高频和短路性能的可调P区电位SiC沟槽MOSFET
相关领域
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网址
https://doi.org/10.1109/ted.2023.3328303
DOI
10.1109/ted.2023.3328303 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Electron Devices
作者：Ruizhe Sun; Xiaochuan Deng; Xu Li; Xuan Li; Hao Wu; et al
出版日期：2023-11-06
求助人
阳光柠檬 在 2025-12-06 12:23:40 发布自上海，悬赏 10 积分
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