| 标题 |
 Degradation of electrical performance and radiation damage mechanism of cascode GaN HEMT with 80 MeV proton 相关领域
降级（电信）
共栅
高电子迁移率晶体管
材料科学
辐射
质子
光电子学
机制（生物学）
辐射损伤
电气工程
物理
核物理学
晶体管
电压
工程类
放大器
量子力学
CMOS芯片
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期刊：Physica Scripta 作者：Yuxin Lu; Rongxing Cao; Hongxia Li; Xuelin Yang; Xianghua Zeng; et al 出版日期：2024-01-25 |
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