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 Wet etching for isolation of N-polar GaN HEMT structure by electrodeless photo-assisted electrochemical reaction 相关领域
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期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：T. Aota; A. Hayasaka; Isao Makabe; Shigeki Yoshida; Takahiro Gotow; et al 出版日期：2021-02-18 |
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