| 标题 |
 Single-event burnout hardening in p-GaN HEMTs: An embedded polarization-modulated composite barrier layer approach 相关领域
材料科学
硬化（计算）
复合数
光电子学
阻挡层
极化（电化学）
复合材料
图层（电子）
化学
物理化学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Microelectronics Journal 作者：Xingyu Luo; Yanjun Wu; Yang Zuo; Sheng Gao 出版日期：2025-01-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
LittleSyar
Lv41 求助人 关闭了本次求助。
说明 批量关闭【积分已退回】
科研通AI2.0
机器人 未找到该文献，机器人已退出，请等待人工下载
14:25:35 未找到该文献，机器人已退出，请等待人工下载14:25:32 科研通AI机器人（新加坡）收到请求，开始寻找文献14:25:30 已向机器人发送请求
LittleSyar
Lv41 求助人 发起了本次求助
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
无极微光
Copyright
cdercder
Nexus
lg大泡
Kao
疯狂加载ing
yjh123
Avalonx
WW
liuzhuohao
sagitar
Itzflames978
小鱼爱吃肉
飘逸的大雁
Criminology34
初景
学术文献互助
arniu2008
挖掘机
皖公网安备34019202002308
