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标题
Native defect clustering-induced carrier localization centers leading to a reduction of performance in Ga0.70In0.30N/GaN quantum wells
Ga0.70in 0.30 N/GaN量子阱中原生缺陷聚集诱导的载流子局域中心导致性能降低
相关领域
量子阱 材料科学 光电子学 光致发光 电容 杂质 三甲基铟 量子效率 载流子 自发辐射 光学 激光器 纳米技术 外延 化学 物理 物理化学 有机化学 金属有机气相外延 电极 图层（电子）
网址
https://doi.org/10.1364/oe.486721
AI链接 doi.org nih.govdoi.org
DOI
10.1364/oe.486721 doi
其它 期刊：Optics Express
作者：Dong‐Pyo Han; Jiwon Kim; Dong‐Soo Shin; Jong‐In Shim
出版日期：2023-04-20
求助人
腊梅 在 2025-07-29 22:25:55 发布，悬赏 10 积分
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