Design and optimizing of trench Schottky barrier-controlled β-Ga2O3 Schottky diode with low turn-on voltage and leakage current

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标题	Design and optimizing of trench Schottky barrier-controlled β-Ga2O3 Schottky diode with low turn-on voltage and leakage current
网址	https://doi.org/10.1016/j.micrna.2022.207318
DOI	10.1016/j.micrna.2022.207318 doi
其它	期刊：Micro and nanostructures 作者：Yisong Shen; Qihao Zhang; Kai Xiao; Ning Xia; Hui Zhang; et al 出版日期：2022-06-15
求助人	MinnieyC 在 2026-11-05 17:40:08 发布自福建，悬赏 10 积分
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