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Direct imaging of the depletion region of an InP p–n junction under bias using scanning voltage microscopy
偏压下InP p-n结耗尽区的扫描电压显微镜直接成像
相关领域
显微镜 偏压 材料科学 扩展阻力剖面 扫描探针显微镜 扫描电子显微镜 光学显微镜 电压 扫描电容显微镜 分析化学（期刊） 光学 光电子学 化学 硅 扫描共焦电子显微镜 物理 色谱法 量子力学 复合材料
网址
https://doi.org/10.1063/1.1528277
DOI
10.1063/1.1528277 doi
其它 期刊：Applied Physics Letters
作者：Dayan Ban; Edward H. Sargent; St. J. Dixon-Warren; I. D. Calder; A. J. SpringThorpe; et al
出版日期：2002-12-19
求助人
南充市第一中学 在 2025-07-05 14:25:51 发布自福建，悬赏 10 积分
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