A Generalized Analytical Approach to Model the Gate Tunneling Current in Nanoscale Double Gate MOSFETs

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标题	A Generalized Analytical Approach to Model the Gate Tunneling Current in Nanoscale Double Gate MOSFETs 模拟纳米级双栅MOSFET栅极隧穿电流的广义解析方法相关领域 MOSFET 材料科学量子隧道栅氧化层随时间变化的栅氧化层击穿晶体管金属浇口场效应晶体管泊松方程凝聚态物理光电子学物理量子力学电压
网址	https://doi.org/10.1007/s12633-022-01943-w
DOI	10.1007/s12633-022-01943-w doi
其它	期刊：Silicon 作者：Madhu Kushwaha; Arun Chatterjee; B. Prasad; Arun Chatterjee; Alpana Agarwal 出版日期：2022-06-01
求助人	Wuwuwu_ 在 2025-08-30 14:42:22 发布自北京，悬赏 10 积分
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