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 Thick-AlN-barrier AlN/GaN-based HEMTs with superior power and noise performance for low-voltage RF front-end applications 相关领域
宽禁带半导体
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Haochen Zhang; Mingshuo Zhang; Hu Wang; Xinchuan Zhang; Hui Zhang; et al 出版日期：2025-03-01 |
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