Realizing High Stability of Threshold Voltage in NiO/β-Ga2O3 Heterojunction-Gate FET Operating up to 200 °C by Electrothermal Aging Technology

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标题	Realizing High Stability of Threshold Voltage in NiO/β-Ga2O3 Heterojunction-Gate FET Operating up to 200 °C by Electrothermal Aging Technology
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/16/10457976/10430131.pdf...
DOI	10.1109/ted.2024.3359158 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Zhuolin Jiang; Hongru Deng; Xuanze Zhou; Xiangnan Li; Yuxi Wei; et al 出版日期：2024-02-09
求助人	heiJack 在 2026-05-14 14:24:16 发布自中国，悬赏 10 积分
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