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 Decoupled Double-Channel p-GaN Gate AlGaN/GaN HEMT Featuring Low Reverse Conduction Loss and High Forward Threshold Voltage 相关领域
高电子迁移率晶体管
光电子学
材料科学
宽禁带半导体
氮化镓
阈值电压
电气工程
电压
热传导
逻辑门
低压
晶体管
工程类
纳米技术
图层（电子）
复合材料
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Xiaotian Tang; Zhongchen Ji; Qimeng Jiang; Sen Huang; Xinguo Gao; et al 出版日期：2024-01-01 |
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