Testing for Electromigration in Sub-5-nm FinFET Memories

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标题	Testing for Electromigration in Sub-5-nm FinFET Memories 亚5-nm FinFET存储器中的电迁移测试相关领域电迁移材料科学工程物理物理复合材料
网址	https://doi.org/10.1109/mdat.2024.3411527
DOI	10.1109/mdat.2024.3411527 doi
其它	期刊：IEEE Design and Test 作者：Mahta Mayahinia; Mehdi B. Tahoori; Grigor Tshagharyan; Karen Amirkhanyan; Artur Ghukasyan; et al 出版日期：2024-06-10
求助人	情怀在 2025-12-10 20:36:55 发布自河北，悬赏 10 积分
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Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)

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