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 Design and Experimental Demonstration of 1 cm 2 Chip Size, 6.5 kV 4H-SiC MOSFETs with Current Spreading Layer 相关领域
JFET公司
材料科学
光电子学
MOSFET
制作
电容
击穿电压
功率MOSFET
扩散电容
电压
电气工程
兴奋剂
栅氧化层
功率半导体器件
图层（电子）
炸薯条
阈值电压
电流（流体）
工程物理
高压
场效应晶体管
电子工程
碳化硅
电场
金属浇口
压力（语言学）
功勋
功率（物理）
逻辑门
随时间变化的栅氧化层击穿
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| 其它 |
期刊： 作者：Yike Fan; Hao Wang; Chi Zhang; Zhengjia Chen; Zijian Hu; et al 出版日期：2025-11-07 |
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