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 (Invited) Aspect Ratio Trapping: A Unique Technology for Integrating Ge and III-Vs with Silicon CMOS （特邀）长宽比俘获：将Ge和III-Vs与硅CMOS集成的独特技术
相关领域
硅
材料科学
光电子学
俘获
二极管
光电二极管
外延
纵横比（航空）
位错
锗
半导体
纳米技术
生态学
生物
复合材料
图层（电子）
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期刊：ECS transactions 作者：J.G. Fiorenza; Ji‐Soo Park; Jennifer M. Hydrick; Jason Li; Jizhong Li; et al 出版日期：2010-10-01 |
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