| 标题 |
 Effect of Fringing Capacitances on the RF Performance of GaN HEMTs With T-Gates |
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Bo Song; Berardi Sensale-Rodriguez; Ronghua Wang; Jia Guo; Zongyang Hu; et al 出版日期：2014-02-20 |
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