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 The importance of nucleation layer for the GaN N-face purity on the annealed Al2O3 layers deposited by atomic layer deposition 成核层对原子层沉积退火Al2O3层GaN N面纯度的重要性
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期刊：Materials Science and Engineering B 作者：M. Kolenda; A. Kadys; T. Malinauskas; Edvinas Radiunas; Riina Ritasalo; et al 出版日期：2022-07-16 |
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