| 标题 |
2.83-kV double-layered NiO/β-Ga2O3 vertical p-n heterojunction diode with a power figure-of-merit of 5.98 GW/cm2 |
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:Journal of Semiconductors 作者:Tingting Han; Yuangang Wang; Yuanjie Lv; Shaobo Dun; Hongyu Liu; et al 出版日期:2023-07-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成,仅限求助人下载。 |
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)