(Invited) MOSFET Development in IBM–1963 to Present

国际商用机器公司 MOSFET 工作(物理) 频道(广播) 产品(数学) 计算机科学 工程类 电气工程 制造工程 系统工程 纳米技术 材料科学 机械工程 晶体管 电压 几何学 数学
作者
D.L. Critchlow
出处
期刊:Japanese Journal of Applied Physics [Institute of Physics]
卷期号:20 (S1): 17-17
标识
DOI:10.7567/jjaps.20s1.17
摘要

Some of the highlights of the basic work, application requirements decisions, and product developments made in IBM on MOSFET technology are described. The work spans the pioneering work in n-channel in the 1960s through the 64-kbit RAM developments and exploratory work in the 1970s.
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