A novel P/N-drift reverse-conducting IGBT with P-layer structure at the trench bottom

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作者
Zhigang Shen,Wensuo Chen
出处
期刊:Microelectronics Journal [Elsevier BV]
卷期号:170: 107072-107072
标识
DOI:10.1016/j.mejo.2026.107072
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