Experiments on Ge-GaAs heterojunctions

The electrical characteristics of Ge-GaAs heterojunctions, made by depositing Ge epitaxially on GaAs substrates, are described. I–V and electro-optical characteristics are consistent with a model in which the conduction- and valence-band edges at the interface are discontinuous. The forbidden band in heavily doped (n-type) germanium appears to shift to lower energy values. Les caractéristiques électriques des hétérojunctions de Ge-GaAs produites en déposant le Ge épitaxiallement sur les couches inférieures de l'AsGa sont décrites. Les caractéristiques I–V et électrooptiques sont consistantes avec un modèle dans lequel les bords des bandes de conduction et de valence à l'interface sont discontinus. La bande défendue dans le germanium (type-n) fortement dopé semble se déplacer vers des valeurs à énergie plus basse. Die elektrischen Kenngrössen von Ge-GaAs Hetero-Übergängen, die man durch epitaxiale Ablagerung von Ge auf GaAs-Substraten herstellt, werden beschrieben. I–V und elektro-optische Kenndaten entsprechen einem Modell, in dem die Ränder des Leitungs- und Valenzbandes an der Grenzfläche diskontinuierlich sind. Das verbotene Band in stark dotiertem (n-Typ) Germanium scheint sich nach niedrigeren Energiewerten zu verlagern.