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  Effects of annealing temperature on properties of InSnZnO thin film transistors prepared by Co-sputtering 退火温度对共溅射InSnZnO薄膜晶体管性能的影响
相关领域
溅射
退火（玻璃）
材料科学
薄膜晶体管
光电子学
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化学工程
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图层（电子）
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电压
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期刊：RSC Advances 作者：Wei Zhong; Guoyuan Li; Linfeng Lan; Bin Li; Rongsheng Chen 出版日期：2018-01-01 |
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