Leakage Current Model of Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors for Device Characterization and Circuit Simulation

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标题	Leakage Current Model of Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors for Device Characterization and Circuit Simulation 用于器件表征和电路模拟的多晶硅薄膜晶体管漏电流模型相关领域多晶硅材料科学薄膜晶体管晶体管光电子学电场硅泄漏（经济）电压电气工程纳米技术物理工程类宏观经济学经济图层（电子）量子力学
网址	https://doi.org/10.1143/jjap.46.7626
DOI	10.1143/jjap.46.7626 doi
其它	期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Wanling Deng; Xueren Zheng; Rongsheng Chen 出版日期：2007-12-01
求助人	花花猪1989 在 2025-06-14 16:16:58 发布自北京，悬赏 10 积分
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