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 Effects of high-dose gamma-ray irradiation on an In0.53Ga0.47As high electron mobility transistor 高剂量γ辐照对In0.53Ga 0.47 As高电子迁移率晶体管的影响
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期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Jae‐Phil Shim; Dong‐Seok Kim; Hyunchul Jang; Ju‐Won Shin; Deoksoo Park; et al 出版日期：2024-01-15 |
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