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 Correlation between OCVD carrier lifetime vs temperature measurements and reverse recovery behavior of the body diode of SiC power MOSFETs OCVD载流子寿命与温度测量值与SiC功率MOSFET体二极管反向恢复行为的相关性
相关领域
材料科学
二极管
光电子学
功率MOSFET
功率（物理）
功率半导体器件
MOSFET
电气工程
工程类
晶体管
物理
电压
热力学
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期刊：Microelectronics Reliability 作者：Sergio Sapienza; Giovanna Sozzi; Danilo Santoro; P. Cova; Nicola Delmonte; et al 出版日期：2020-09-10 |
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