| 标题 |
 Charge Balance Design of 1200-V E-Mode p-GaN Gate HEMT Toward Enhanced Breakdown Voltage and Dynamic Stability 相关领域
高电子迁移率晶体管
宽禁带半导体
氮化镓
光电子学
击穿电压
材料科学
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模式（计算机接口）
电气工程
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Junjie Yang; Jingjing Yu; Jiawei Cui; Sihang Liu; Teng Li; et al 出版日期：2025-02-06 |
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