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Third-Quadrant Conduction Induced Dynamic Ron Effect in GaN Gate-Injection-Transistor GaN栅极注入晶体管中第三象限传导诱导的动态Ron效应
相关领域
象限(腹部)
晶体管
热传导
光电子学
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物理
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医学
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电子
病理
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期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Shaoyu Sun; Xu Du; Ling Xia; Qi Qin; Wengang Wu 出版日期:2024-10-09 |
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