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 A 650V Enhancement Mode GaN HEMT Device with Field Plate for Power Electronic Applications 相关领域
高电子迁移率晶体管
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氮化镓
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期刊：2021 International Conference on Electrical, Communication, and Computer Engineering (ICECCE) 作者：Hao Wu; Fu Xiaojun; Shengdong Hu 出版日期：2021-06-12 |
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