Enhanced High-Temperature Performance of In-Situ SiN GaN MIS-HEMTs With an AlN Back Barrier Up to 500 °C

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标题	Enhanced High-Temperature Performance of In-Situ SiN GaN MIS-HEMTs With an AlN Back Barrier Up to 500 °C
网址	http://dx.doi.org/10.1109/ted.2026.3705410
DOI	10.1109/ted.2026.3705410 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Xuejing Sun; Xiufeng Song; Longyang Yu; Linhuan Gao; Junchun Bai; et al 出版日期：2026-08-01
求助人	miji 在 2026-09-14 22:35:30 发布自江苏，悬赏 10 积分
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